产品speci fi cation
DF005S - DF10S
DF -S
■
特点
●
玻璃钝化芯片路口
●
低正向压降，高电流能力
●
浪涌过载额定值为50A峰值
0.047 (1.20)
0.040 (1.02)
0.205 (5.2)
0.195 (5.0)
0.404 (10.3)
0.386 (9.80)
0.335 (8.51)
0.320 (8.13)
45
o
0.255 (6.5)
0.245 (6.2)
0.013 (0.330)
0.130 (3.3)
0.009 (0.241)
0.120 (3.05)
0.060 (1.524)
0.040 (1.016)
0.013 (0.330)
0.003 (0.076)
尺寸以英寸（毫米）
■
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向平均整流电流
T
A
=@ 40℃
符号
V
RMM
V
RWM
V
DC
V
RMS
I
O
I
FSM
V
F
T
A
= 25℃
T
A
= 125℃
I
R
I
2
t
C
J
R
θJA
T
j
, T
英镑
DF005S DF01S DF02S DF04S DF06S DF08S DF10S
50
35
100
70
200
140
400
280
1.0
50
1.1
10
500
10
25
40
-55到+150
600
420
800
560
1000
700
单位
V
V
A
A
V
μA
A
2
s
pF
℃/W
℃
非重复性峰值正向浪涌电流， 8.3毫秒
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDECmethod ）
正向电压（每件） @我
F
= 1.0A
反向电流（每件） @额定V
R ,
额定值融合（T < 8.3ms的）
（每件）典型的总电容（注1 ）
典型热阻，结到环境（注2 ）
工作和存储温度范围
注：1.测得1.0 MHz和4.0V的直流应用反向电压。
2.Device安装在PCB与0.5 × 0.5“ （ 13 × 13毫米） 。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
