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BC857B 参数 Datasheet PDF下载

BC857B图片预览
型号: BC857B
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内容描述: 低电流(最大100 mA时) 。低电压(最大65V)时。 [Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 65 V).]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 138 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
 浏览型号BC857B的Datasheet PDF文件第1页  
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
BC856,BC857,BC858
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
BC856
BC857
直流电流增益
BC856A,BC857A
BC856B,BC857B,BC858B
BC857C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= -10毫安;我
B
= -0.5毫安
I
C
= -100毫安;我
B
= -5毫安; *
基射极饱和电压
V
BE ( SAT )
I
C
= -10毫安;我
B
= -0.5毫安
I
C
= -100毫安;我
B
= -5毫安; *
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
噪声系数
*脉冲测试: TP
300µs, ä
0.02.
V
BE
C
C
f
T
NF
I
C
= -2 mA的; V
CE
= -5 V
I
C
= -10毫安; V
CE
= -5 V
V
CB
= -10 V ;我
E
= IE = 0 ; F = 1兆赫
V
CE
= -5V ;我
C
= -10毫安; F = 100 MHz的
I
C
= -200 IA ; V
CE
= -5V ; R
S
= 2 kÙ;
F = 1千赫; B = 200赫兹
100
2
10
4.5
-600
h
FE
I
C
= -2 mA的; V
CE
= -5 V
符号
I
CBO
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= -30 V,I
E
= 0
V
CB
= -30 V,I
E
= 0 , T
j
= 150
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
125
125
125
220
420
-75
-250
-700
-850
-650
-750
-820
典型值
-1
最大
-15
-4
-100
475
800
250
475
800
-300
-650
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
单位
nA
ìA
nA
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
TYPE
记号
BC856
3D
BC857
3H
BC858B
3K
BC856A
3A
BC857A
3E
BC856B
3B
BC857B
3F
BC857C
3G
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2