SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
KC856A,B/KC857A,B,C/KC858A,B,C
电气特性TA = 25
参数
KC856
集电极 - 基极击穿电压
KC857
KC858
KC856
集电极 - 发射极击穿电压
KC857
KC858
发射极 - 基极击穿电压
KC856
集电极截止电流
KC857
KC858
KC856
集电极截止电流
KC857
KC858
发射极截止电流
KC856A ， 857A ， 858A
直流电流增益
KC856B ， 857B ， 858B
KC857C,KC858C
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极电容
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
I
C
= -100mA ，我
B
= -5毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= -100毫安，我
B
= -5mA
C
ob
f
T
V
CB
=-10V,f=1MHz
V
CE
= -5 V，I
C
= -
10mA,f=100MHz
100
h
FE
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
I
EBO
I
首席执行官
I
CBO
V
EBO
I
E
= -10ìA ，我
C
=0
V
CB
= -70 V，I
E
=0
V
CB
= -45 V，I
E
=0
V
CB
= -25 V，I
E
=0
V
CE
= -60 V，I
B
=0
V
CE
= -40 V，I
B
=0
V
CE
= -25 V，I
B
=0
V
EB
= -5 V，I
C
=0
120
220
420
-0.1
250
475
800
-0.5
-1.1
4.5
V
V
pF
兆赫
A
-0.1
A
-0.1
A
V
首席执行官
I
c
= -10毫安，我
B
=0
V
CBO
I
c
= -10ìA ，我
E
=0
(BC856A,B/BC857A,B,C/BC858A,B,C)
符号
Testconditons
民
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
记号
号
记号
号
记号
号
记号
KC856A
3A
KC857A
3E
KC858A
3J
KC856B
3B
KC857B
3F
KC858B
3K
KC857C
3G
KC858C
3L
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 3
TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
