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型号: 2SD2318
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内容描述: 高直流电流增益。低饱和度voltage.Collector - 基极电压VCBO 80 V [High DC current gain. Low saturation voltage.Collector-base voltage VCBO 80 V]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 203 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD2318
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
+0.1
2.30
-0.1
特点
高直流电流增益。
低饱和电压。
+0.2
9.70
-0.2
+0.15
6.50
-0.15
+0.2
5.30
-0.2
0.50
+0.8
-0.7
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲) *
集电极耗散功率
TC = 25
结温
储存温度
* PW = 100毫秒。
Tj
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
80
60
6
3
4.5
4.5
1
15
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A(脉冲) *
A
W
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流传输比
输出电容
跃迁频率
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
=50ìA
I
C
=1mA
I
E
=50ìA
V
CB
=80V
V
EB
=6V
Testconditons
80
60
6
100
100
1.0
1.5
560
50
60
1800
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
V
CE ( SAT )
I
C
= 2 A,I
B
=0.05A
V
BE ( SAT )
I
C
= 2 A,I
B
=0.05A
h
FE
f
T
C
ob
V
CE
= 4V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 5V ,我
E
= -0.2A , F = 10MHz时
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
的hFE
U
560 1200
V
820 1800
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1