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型号: 2SD2230
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内容描述: 高的hFE和大电流。低VCE (SAT) 。集电极 - 基极电压VCBO 16 V [High hFE and high current. Low VCE(sat). Collector-base voltage VCBO 16 V]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 199 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD2230
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高的hFE和大电流。
低V
CE ( SAT )
.
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流(DC)的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
D
P
T
T
j
T
英镑
等级
16
16
5
500
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
基极 - 射极电压*
集电极饱和电压
输出电容
增益带宽积
*脉冲: PW
350 ,占空比
2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
1
h
FE
2
V
BE
Testconditons
V
CB
= 16 V,I
E
= 0
V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0
V
CE
= 1.0 V,I
C
= 100毫安
V
CE
= 1.0 V,I
C
= 500毫安
V
CE
= 1.0 V,I
C
= 10毫安
200
200
550
33
150
700
50
200
15
50
mV
mV
mV
pF
兆赫
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
V
CE (SAT) 1
I
C
= 100毫安,我
B
= 10毫安
V
CE ( sat)的2
I
C
= 500毫安,我
B
= 20毫安
C
ob
f
T
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
V
CE
= 1.0 V,I
E
= -100毫安
记号
记号
D46
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1