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    2SD2185 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2185图片预览
    型号： 2SD2185
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低集电极 - 发射极饱和电压VCE （SAT） 。该杂志的包装。 [Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). the magazine packing.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 176 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SD2185
    特点
    低集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （SAT） 。
    小功率型封装，设备的小型化使
    并通过磁带包装盒自动插入
    包装。
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    50
    50
    5
    3
    4
    1
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极 - 基极截止电流
    正向电流传输比
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    h
    FE
    Testconditons
    I
    C
    = 10 μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 1毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10 μA ，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = 20 V，I
    E
    = 0
    V
    CE
    = 2 V，I
    C
    = 200毫安
    V
    CE
    = 2 V，I
    C
    = 1.0 A
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 1 A，I
    B
    = 50毫安
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 1 A，I
    B
    = 50毫安
    f
    T
    COB
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = -50毫安， F = 200 MHz的
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    120
    80
    0.15
    0.85
    120
    20
    35
    0.3
    1.2
    V
    V
    兆赫
    pF
    民
    50
    50
    5
    0.1
    340
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    h
    FE
    分类
    记号
    秩
    h
    FE
    R
    120 240
    1H
    S
    170 340
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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