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2SD2121S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD2121S
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内容描述: 低频功率放大器。集电极基极电压VCBO 35 V [Low frequency power amplifier. Collector to base voltage VCBO 35 V]
分类和应用: 晶体放大器晶体管功率放大器
文件页数/大小: 1 页 / 145 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD2121S
TO-252
单位:mm
+0.1
2.30
-0.1
特点
低频功率放大器。
+0.15
1.50
-0.15
+0.15
6.50
-0.15
+0.2
5.30
-0.2
0.50
+0.8
-0.7
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
= 25
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
T
英镑
等级
35
35
5
2.5
3
18
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比*
基极 - 射极电压*
集电极到发射极饱和电压*
*脉冲测试。
符号
Testconditons
35
35
5
20
60
20
1.5
1.0
V
V
320
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
V
( BR ) CBO
I
C
= 1毫安,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 10毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 1毫安,我
C
= 0
I
CBO
h
FE
V
BE
V
CB
= 35 V,I
E
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 1.5 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 1.5 A
V
CE ( SAT )
I
C
= 2 A,I
B
= 0.2 A
h
FE
分类
记号
的hFE
B
60 120
C
100 200
D
160 320
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1