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    2SD1935 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1935图片预览
    型号： 2SD1935
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 大电流的能力。低集电极到发射极饱和电压。 [Large current capacity. Low collector to emitter saturation voltage.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 128 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SD1935
    SOT-23
    +0.1
    2.9
    -0.1
    +0.1
    0.4
    -0.1
    单位：mm
    特点
    +0.1
    2.4
    -0.1
    大电流的能力。
    低集电极到发射极饱和电压。
    非常小的尺寸，以进行封装，允许套
    体积更小， slimer 。
    +0.1
    1.3
    -0.1
    1
    +0.1
    0.95
    -0.1
    +0.1
    1.9
    -0.1
    2
    0.55
    0.4
    3
    +0.05
    0.1
    -0.01
    0.97
    +0.1
    0.38
    -0.1
    +0.1
    -0.1
    1.Base
    2.Emitter
    3.collector
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散
    Jumction温度
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    15
    15
    5
    0.8
    3
    200
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    集电极 - 发射极饱和电压
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    Testconditons
    V
    CB
    = 12V，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 50毫安
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 50毫安
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    135
    200
    10
    10
    100
    0.9
    15
    15
    5
    25
    200
    1.2
    民
    典型值
    最大
    100
    100
    900
    兆赫
    pF
    mV
    mV
    V
    V
    V
    V
    单位
    nA
    nA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 5毫安，我
    B
    - 0.5毫安
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 400毫安，我
    B
    = 20mA下
    基极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 400毫安，我
    B
    =20mA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = 10ìA ，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    = 10ìA ，我
    C
    = 0
    h
    FE
    分类
    记号
    秩
    的hFE
    135
    5
    270
    200
    6
    400
    300
    CT
    7
    600
    450
    8
    900
    0-0.1
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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