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    2SD1819A 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1819A图片预览
    型号： 2SD1819A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高盼着电流传输比hFE.Low集电极到发射极饱和电压VCE （SAT） 。 [High foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 108 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SD1819A
    特点
    高盼着电流传输比hFE参数。
    低集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    .
    1辐射源
    2基地
    3收藏家
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CP
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    60
    50
    7
    200
    100
    150
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    正向电流传输比
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    h
    FE
    Testconditons
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = 10V ，我
    B
    = 0
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 2毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 2毫安
    60
    50
    7
    160
    0.1
    150
    3.5
    460
    0.3
    V
    兆赫
    pF
    民
    典型值
    最大
    0.1
    100
    单位
    ìA
    ìA
    V
    V
    V
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    = 10毫安
    f
    T
    C
    ob
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = -2mA ， F = 200MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    h
    FE
    分类
    记号
    秩
    h
    FE
    ZQ
    Q
    160 260
    ZR
    R
    210 340
    ZS
    S
    290 460
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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