2SD1766 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1766
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内容描述：	低VCE （SAT）， VCE （SAT） = 0.5V （典型值）（ IC = 2A ， IB = 0.2A ）。 [Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (typical) (IC = 2A, IB= 0.2A).]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 68 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SD1766

SOT-89

+0.1

4.50

-0.1

+0.1

1.50

-0.1

单位：mm

1.80

+0.1

-0.1

+0.1

2.50

-0.1

特点

低V

CE （ SAT ）

, V

CE （ SAT ）

= 0.5V （典型值）

= 2A ，我

= 0.2A).

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.48

-0.1

+0.1

0.53

-0.1

+0.1

4.00

-0.1

+0.1

0.44

-0.1

+0.1

2.60

-0.1

+0.1

3.00

-0.1

+0.1

0.40

-0.1

1.基地

2.收集

3. Emiitter

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

CBO

首席执行官

EBO

（脉冲） *

集电极耗散功率

结温

储存温度

* 1 。 PW = 20毫秒。

* 2 。 40 40 0.7毫米陶瓷板。

英镑

等级

2.5

0.5

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

输出电容

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

=50ìA

=1mA

=50ìA

=20V

=4V

=3V,I

=0.5A

0.5

100

Testconditons

民

390

0.8

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

=2A,I

=0.2A

= 5V ，我

= -500mA ， F = 100MHz的

= 10V ，我

= 0A ， F = 1MHz的

分类

记号

秩

82 180

120 270

180 390

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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