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2SD1719 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD1719
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内容描述: 高正向电流传输比的hFE有良好的线性 [High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 50 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SD1719
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
特点
+0.2
9.70
-0.2
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
高发射极 - 基极电压(集电极开路)V
EBO
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
T
a
= 25
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
100
60
15
6
12
3
40
1.3
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极截止CURENT
发射基截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
I
C
= 25 mA时,我
B
= 0
V
CB
= 100 V,I
E
= 0
V
EB
= 15 V,I
C
= 0
V
CE
= 4 V,I
C
= 1 A
300
60
100
100
2000
0.5
30
0.3
I
C
= 5 A,I
B1
= -I
B2
= 0.1 A,V
CC
= 50V
1.5
0.6
V
兆赫
ìs
ìs
ìs
典型值
最大
单位
V
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 5 A,I
B
= 0.1 A
f
T
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= 12 V,I
C
= 0.5 A , F = 10 MHz的
h
FE
分类
h
FE
Q
300 1200
P
800 2000
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1