欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SD1006 参数 Datasheet PDF下载

2SD1006图片预览
型号: 2SD1006
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高集电极到发射极电压: 100V VCEO 。集电极 - 基极电压VCBO 100 V [High collector to emitter voltage: VCEO 100V. Collector-base voltage VCBO 100 V]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 137 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1006
特点
高集电极到发射极电压: V
首席执行官
100V.
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲) *
收藏家升功率耗散
结温
储存温度
* 。 PW
为10ms ,占空比50 %
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C( PU )
P
c
T
j
T
英镑
等级
100
100
5
0.7
1.2
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
基极 - 发射极电压*
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
输出电容
过渡产品
* 。 PW
350ìs ,占空比2%
符号
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
= 5.0毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 100毫安
V
CE ( SAT )
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
C
ob
f
T
V
CB
= 10V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
V
CE
= 10V ,我
E
= -10mA
45
90
200
200
0.3
0.9
10
90
400
0.6
1.5
V
V
pF
兆赫
550
典型值
620
最大
650
100
100
单位
mV
nA
nA
h
FE
分类
记号
的hFE
HM
90 180
HL
135 270
HK
200 400
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1