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    2SD1000 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1000图片预览
    型号： 2SD1000
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 世界标准的微型封装形式：SOT -89 。低集电极饱和电压。 [World standard miniature package:SOT-89. Low collector saturation voltage.]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 137 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SD1000
    特点
    世界标准的微型封装形式：SOT -89 。
    低集电极饱和电压。
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲） *
    总功耗
    结温
    储存温度
    *脉冲试验PW
    为10ms ，占空比
    50%.
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C
    P
    T
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    60
    50
    5
    0.7
    1.0
    2.0
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益*
    集电极饱和电压*
    基本饱和电压*
    基极 - 发射极电压*
    增益带宽积
    输出电容
    *脉冲： PW
    350 ，占空比
    2%
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    Testconditons
    V
    CB
    = 60 V，I
    E
    = 0 A
    V
    EB
    = 5.0 V，I
    C
    = 0 A
    V
    CE
    = 1.0 V，I
    C
    = 100毫安
    V
    CE
    = 1.0 V，I
    C
    = 500毫安
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = 6.0 V，I
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 6.0 V，I
    E
    = -10毫安
    V
    CB
    = 6 V，I
    E
    = 0中，f = 1.0兆赫
    600
    90
    50
    200
    150
    0.12
    0.9
    635
    110
    13
    0.4
    1.2
    700
    V
    V
    mV
    兆赫
    pF
    民
    典型值
    最大
    100
    100
    400
    单位
    nA
    nA
    h
    FE
    分类
    记号
    的hFE
    LM
    90 180
    LL
    135 270
    LK
    200 400
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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