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    2SC5209 参数 Datasheet PDF下载

    2SC5209图片预览
    型号： 2SC5209
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电压VCEO = 50V 。小型封装的安装。高的hFE = 600 〜1800 。 [High voltage VCEO=50V. Small package for mounting. High hFE = 600 to 1800.]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 127 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SC5209
    特点
    高电压V
    首席执行官
    =50V.
    小型封装的安装。
    高ħ
    FE
    = 600〜 1800 。
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散
    Jumction温度
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    EBO
    V
    首席执行官
    I
    CM
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    50
    6
    50
    2
    1
    500
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    Colllector - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    符号
    Testconditons
    民
    50
    6
    50
    0.1
    0.1
    600
    .15
    130
    12
    1800
    0.5
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    ìA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    =10ìA,I
    E
    =0
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    =10ìA,I
    C
    =0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    =1mA,R
    BE
    =
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CB
    =40V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =2V,I
    C
    =0
    V
    CE
    =6V,I
    C
    =100mA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    =500mA,I
    B
    =10mA
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    =10V,I
    E
    =-10mA
    V
    CB
    =10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    h
    FE
    分类
    记号
    的hFE
    RH
    600 1200
    RJ
    900 1800
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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