2SC5161 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC5161
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内容描述：	高击穿voltage.VCEO = 400V NPN硅晶体管 [High breakdown voltage.VCEO = 400V NPN silicon transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 169 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SC5161

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极击穿电压

collecotr截止电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

直流电流传输比

跃迁频率

输出电容

开启时间

贮存时间

下降时间

符号

VCBO

VCEO

CEO （ SUS ）

VEBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

COB

英镑

=50ìA

=1mA

=1.0A,I

=0.1A,L=1mH

=50ìA

=400V

=7V

=1A/0.2A

=5V,I

=0.1A

=10V.I

=-0.1A.f=5MHz

=10V,I

=0A,f=1MHz

=0.8A,R

=250Ù

=-I

=0.08A

=200V

2.5

Testconditons

民

400

1.5

兆赫

ìs

典型值

最大

单位

ìA

分类

ltem

的hFE

25至50

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2

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