2SC5069 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC5069
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内容描述：	高电流容量。通过MBIT过程。高直流电流增益。 [High current capacity. Adoption of MBIT process. High DC current gain.]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 291 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SC5069

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

开启时间

符号

CBO

EBO

Testconditons

= 20 V，I

= 10 V，I

= 5 V，I

= 500毫安

= 5 V，I

= 1A

= 10 V，I

= 50毫安

= 10V ， F = 1.0MHz的

800

600

260

0.15

0.85

0.14

0.5

1.2

兆赫

ìs

1500

民

典型值

最大

100

3200

单位

ìA

CE （ SAT ）

= 1A ，我

= 20毫安

BE （ SAT ）

= 1A ，我

= 20毫安

（ BR ） CBO

= 10ìA ，我

= 0

（ BR ） CEO

= 1毫安，R

（ BR ） EBO

= 10ìA ，我

= 0

吨

怪的时候

TSTG

1.35

ìs

下降时间

0.1

ìs

记号

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2

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