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    2SC4694 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4694图片预览
    型号： 2SC4694
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通过MBIT过程。高直流电流增益。高VEBO （ VEBO 25V ） 。 [Adoption of MBIT process. High DC current gain. High VEBO (VEBO 25V).]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 463 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号2SC4694的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4694的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC4694的Datasheet PDF文件第4页  
    SMD型
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SC4694
    特点
    通过MBIT过程。
    高直流电流增益。
    高V
    EBO
    (V
    EBO
    25V).
    高反的hFE （ 150典型值） 。
    小的导通电阻[R
    on
    =1Ù (I
    B
    =5mA)].
    1辐射源
    2基地
    3收藏家
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    基极电流
    集电极耗散
    Jumction温度
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    50
    20
    25
    500
    800
    100
    150
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    mW
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 4

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