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    2SC4555 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4555图片预览
    型号： 2SC4555
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 极小型封装低集电极 - 发射极饱和电压。 [Very small-sized package Low collector-to-emitter saturation voltage.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 58 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    IC
    产品speci fi cation
    2SC4555
    特点
    极小型封装
    低集电极 - 发射极饱和电压。
    1辐射源
    2基地
    3收藏家
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    20
    15
    5
    500
    1
    150
    105
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    A
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    集电极 - 发射极饱和电压
    基极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE （ SAT ）
    Testconditons
    V
    CB
    = 15V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 50毫安
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 5毫安，我
    B
    - 0.5毫安
    I
    C
    =的200mA，我
    B
    = 10毫安
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    =的200mA，我
    B
    = 10毫安
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = 10ìA ，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    = 10ìA ，我
    C
    = 0
    20
    15
    5
    160
    0.95
    135
    300
    4.0
    30
    300
    1.2
    V
    V
    V
    V
    民
    典型值
    最大
    0.1
    0.1
    600
    兆赫
    pF
    V
    单位
    ìA
    ìA
    h
    FE
    分类
    记号
    秩
    的hFE
    5
    135 270
    UT
    6
    200 400
    7
    300 600
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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