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2SC4548 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC4548
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内容描述: 高击穿电压通过MBIT工艺优秀的hFE Linearlity的。 [High Breakdown Voltage Adoption of MBIT Process Excellent hFE Linearlity.]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 444 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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SMD型
产品speci fi cation
2SC4548
特点
高的击穿电压
通过MBIT过程
优秀ħ
FE
Linearlity 。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在陶瓷板上( 250毫米
2
X 0.8mm)的
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C *
T
j
T
英镑
等级
400
400
5
200
400
1.3
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 300V ,我
E
= 0
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
400
400
5
60
200
0.8
1
70
5
4
0.25
5.0
V
V
兆赫
pF
pF
ìs
典型值
最大
0.1
0.1
单位
A
A
V
V
V
V
( BR ) CBO
I
C
=为10uA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
=为10uA ,我
C
= 0
h
FE
V
CE
= 10V ,我
C
= 50毫安
V
CE ( SAT )
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
f
T
C
ob
C
re
t
on
t
关闭
V
CE
= 30V ,我
C
= 10毫安
V
CB
= 30V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CB
= 30V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
见测试电路。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1第3