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型号: 2SC4226
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内容描述: 低噪声和高增益。 NF = 1.2 dB典型值。 VCE = 3V , IC = 7 mA时, F = 1.0 GHz的 [Low noise and high gain. NF = 1.2 dB Typ. VCE = 3V, IC= 7 mA, f = 1.0 GHz]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 79 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SC4226
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
低噪声和高增益。
NF = 1.2 dB典型值。 @V
CE
= 3V ,我
C
= 7 mA时, F = 1.0 GHz的
高增益。
|S
21e
|
2
= 9.0分贝TYP 。 @ F = 1千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 7毫安
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
1辐射源
2
BASE
BASE
2
3
3
集热器
Collecotr
1辐射源
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
12
3.0
100
150
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
跃迁频率
* 。脉搏测量: PW
350
S,占空比
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
S
21e
NF
C
re
f
T
2%.
2
Testconditons
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
V
EB
= 1.0 V,I
C
= 0
V
CE
= 3V ,我
C
= 7毫安
V
CE
= 3V ,我
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 3V ,我
C
= 7毫安
典型值
最大
1.0
1.0
单位
A
A
40
7
110
9
1.2
0.7
250
dB
2.5
1.5
dB
pF
GHz的
3.0
4.5
h
FE
分类
记号
的hFE
R23
R23
40
80
R24
R24
70
140
R25
R25
125
250
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1