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型号: 2SC4210
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内容描述: 高直流电流增益: hFE参数= 100 320.Collector - 基极电压VCBO 35 V [High DC current gain: hFE = 100 320.Collector-base voltage VCBO 35 V]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 111 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SC4210
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
高直流电流增益: hFE参数= 100 320 。
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
35
30
5
800
160
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 35 V,I
E
= 0
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
30
100
320
0.5
0.5
120
13
0.8
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
0.1
0.1
单位
ìA
ìA
V
V
( BR ) CEO
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
h
FE
V
CE
= 1 V,I
C
= 100毫安
V
CE (SAT)
I
C
= 500毫安, IB = 20毫安
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= 1 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
O
100 200
A
Y
160 320
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1