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    2SC3650 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3650图片预览
    型号： 2SC3650
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高直流电流增益（HFE = 800〜 3200 ） 。低集电极 - 发射极饱和电压 [High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation voltage]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 62 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    产品speci fi cation
    2SC3650
    特点
    高直流电流增益（HFE = 800〜 3200 ） 。
    低集电极 - 发射极饱和电压
    (V
    CE （ SAT ）
    0.5V).
    大电流能力（我
    C
    =1.2V).
    非常小的尺寸使其易于提供高密度，
    小尺寸的混合IC '
    s.
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    cp
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    30
    25
    15
    1.2
    2
    500
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    Testconditons
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 10V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =500mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =50mA
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    800
    1500
    220
    17
    0.12
    0.85
    30
    25
    15
    0.5
    1.2
    民
    典型值
    最大
    0.1
    0.1
    3200
    兆赫
    pF
    V
    V
    V
    V
    V
    单位
    ìA
    ìA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =10mA
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =10mA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    记号
    记号
    CF
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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