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2SC3624 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC3624
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内容描述: 高直流电流增益: hFE参数= 1000〜 3200的低VCE ( sat)的: ( VCE (SAT) = 0.07 V典型值) 。 [High DC current Gain: hFE = 1000 to 3200. Low VCE(sat): (VCE(sat) = 0.07 V TYP).]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 60 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SC3624
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
低V
CE ( SAT )
: (V
CE ( SAT )
= 0.07 V典型值) 。
1
2
+0.1
1.3
-0.1
高直流电流增益:H
FE
= 1000〜 3200 。
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
50
12
150
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
基极 - 发射极电压*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
打开-O FF时间
* 。 PW
350ìs ,占空比2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
Testconditons
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 10V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 1毫安
1000
1800
0.56
0.07
0.8
250
3
0.13
0.72
1.22
0.3
1.2
典型值
最大
100
100
3200
V
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
单位
nA
nA
V
CE ( SAT )
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
关闭
V
CE
= 5V ,我
E
= -10mA
V
CB
= 5V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
V
CC
= 10V , V
BE (OFF)的
= -2.7V
I
C
= 50mA时
I
B1
= -I
B2
= 1毫安
h
FE
分类
记号
h
FE
L17
1000 2000
L18
1600 3200
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1