SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SC3583
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
NF 1.2分贝TYP 。 @f = 1.0 GHz的
嘎13分贝TYP 。 @f = 1.0 GHz的
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
等级
20
10
1.5
65
200
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益* 1
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
最大可用增益
噪声系数
* 1.Pulse测量PW
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
CRE * 2
|
MAG
NF
350ìs ，占空比2 ％
Testconditons
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
E
= 0
V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CE
= 8 V，I
C
= 20 mA时， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 8 V，I
C
= 20 mA时， F = 1.0 GHz的
V
CE
= 8 V，I
E
= 7 mA时， F = 1.0 GHz的
11
50
100
9
0.35
13
15
1.2
2.5
0.9
民
典型值
最大
1.0
1.0
250
GHz的
pF
dB
dB
dB
单位
ìA
ìA
* 2，发射端和的情况下，应连接到三端电容桥的gurad终端。
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
R33
R33/Q
50 100
R34
R34/R
80 160
R35
R35/S
125 250
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
