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型号: 2SC3295
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内容描述: 高的hFE :的hFE = 600 3600高压: VCEO = 50V,高压: VCEO = 50V。 [High hFE: hFE = 600 3600. High voltage: VCEO = 50 V. High voltage: VCEO = 50 V.]
分类和应用: 高压
文件页数/大小: 1 页 / 55 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SC3295
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高ħ
FE
: h
FE
= 600 3600.
高电压: V
首席执行官
= 50 V.
高集电极电流:I
C
= 150 MA(最大值) 。
小包装。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
等级
50
50
5
150
30
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
V
CE
= 6 V,I
C
= 2毫安
600
0.12
100
250
3.5
0.5
0.3
典型值
最大
0.1
0.1
3600
0.25
V
兆赫
pF
dB
dB
单位
ìA
ìA
V
CE (SAT)
I
C
= 100毫安,我
B
= 10毫安
f
T
C
ob
NF(1)
NF(2)
V
CE
= 10 V,I
C
= 10毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 0.1毫安, F = 100赫兹, RG = 10KU
V
CE
= 6 V,I
C
= 0.1毫安, F = 100赫兹, RG = 10KU
h
FE
分类
记号
的hFE
600
PA
1800
PB
1200 3600
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1