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型号: 2SC2776
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内容描述: 集电极 - 基极电压VCBO 30 V集电极 - 发射极电压VCEO 20 V [Collector-base voltage VCBO 30 V Collector-emitter voltage VCEO 20 V]
分类和应用: 光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 60 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SC2776
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
20
4
30
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
集电极输出电容
增益带宽积
噪声系数
符号
Testconditons
30
20
4
0.5
35
0.8
1.1
320
5.5
200
1.2
V
pF
兆赫
dB
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
V
( BR ) CBO
I
C
= 10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 10ìA ,我
C
= 0
I
CBO
h
FE
V
CB
= 10V ,我
C
= 0
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安
V
CE ( SAT )
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
C
ob
f
T
NF
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安,
F = 100 MHz时, RG = 50单位
V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安, F = 100兆赫,R
g
=
100Ù, R
L
= 550Ù
功率增益
PG
17
0-0.1
dB
h
FE
分类
记号
的hFE
VA
A
35 70
VB
B
60 120
VC
C
100 200
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1