SMD型
IC
产品speci fi cation
2SC2736
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
20
3
50
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极饱和电压
直流电流传输比
集电极输出电容
增益带宽积
符号
Testconditons
民
30
20
3
500
0.7
30
200
1.0
1400
2200
22.5
10
4.0
300
200
pF
兆赫
dB
dB
dB
mV
mV
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
V
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10ìA ，我
C
= 0
I
CBO
V
CB
= 15V ，我
C
= 0
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10 mA时，我
B
= 5毫安
h
FE
C
ob
f
T
CG1
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
V
CC
= 12 V，I
C
= 2毫安， F = 200兆赫，女
OSC
= 230兆赫（为0dBm ）
V
CC
= 12 V ， IC = 2 mA时， F = 900兆赫，
f
OSC
= 930兆赫（为0dBm ） ， FOUT = 30 MHz的
V
CC
= 12 V，I
C
= 2毫安， F = 200 MHz时，
f
OSC
= 230兆赫（为0dBm ）
V
CC
= 12 V，I
C
= 7 mA时， F = 300 MHz的
V
CC
= 12 V，I
C
= 7毫安，女
OSC
= 930兆赫
转换增益
CG2
噪声系数
振荡输出电压
NF
V
OSC1
V
OSC2
记号
记号
TC
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
0-0.1
4008-318-123
1 1
TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
