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型号: 2SC2619
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内容描述: 高频amplifier.Collector - 基极电压VCBO 30 V [High frequency amplifier.Collector-base voltage VCBO 30 V]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 59 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SC2619
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
高频放大器。
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
30
5
100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
符号
Testconditons
30
30
5
0.5
0.5
60
200
1.1
0.75
230
3.5
5
V
V
兆赫
pF
dB
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
( BR ) CBO
I
C
= 10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 10ìA ,我
C
= 0
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 2V ,我
C
=0
V
CE
= 12V,我
C
= 2毫安
V
CE ( SAT )
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
V
BE
f
T
COB
NF
V
CE
= 12V,我
C
= 2毫安
V
CE
= 12V,我
C
= 2毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= 6V ,我
C
= 2毫安, F = 1MHz的,R
g
=
500Ù
h
FE
分类
记号
的hFE
FB
60 120
FC
100 200
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1