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型号: 2SC2411K
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内容描述: 高ICMAX 。 ICMAX 。 = 0.5A的低VCE (SAT) 。最适用于低电压操作。 [High ICMax. ICMax. = 0.5A Low VCE(sat). Optimal for low voltage operation.]
分类和应用: 信息通信管理
文件页数/大小: 1 页 / 64 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SC2411K
SOT-23
单位:mm
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
高I
CMAX
. I
CMAX
. = 0.5A
+0.1
2.4
-0.1
低V
CE ( SAT )
。最适用于低电压操作。
NPN硅晶体管
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流*
集电极耗散功率
结温
储存温度
* P
C
不得超出。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
T
英镑
等级
40
32
5
0.5
0.2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输出电容
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
C
= 100ìA
I
C
= 1毫安
I
E
= 100ìA
V
CB
= 20V
V
EB
= 4V
V
CE
= 3V ,我
C
= 100毫安
120
Testconditons
40
32
5
1
1
390
0.6
6.5
250
V
pF
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
= 500毫安/ 50毫安
C
ob
f
T
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
V
CE
= 5V ,我
E
= -20mA , F = 100MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
120
CQ
Q
270
180
CR
R
390
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1