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型号: 2SB906
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内容描述: 低集电极饱和电压。高功率耗散。 [Low collector saturation voltage. High power dissipation.]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 62 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB906
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
特点
低集电极饱和电压。
高功率耗散。
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
等级
-60
-60
-7
-3
-0.5
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= -60 V,I
E
= 0
V
EB
= -7 V,I
C
= 0
-60
60
20
-1
-1
9
150
0.4
-I
B1
=I
B2
=0.2A,V
CC
= -30V ,值班CYCLE1 %
1.7
0.5
-1.7
-1.5
V
V
兆赫
pF
ìs
ìs
ìs
200
典型值
最大
-100
-100
单位
ìA
ìA
V
V
( BR ) CEO
I
C
= -50mA ,我
B
=0
h
FE
V
CE
= -5 V,I
C
= -0.5 A
V
CE
= -5 V,I
C
= -3 A
V
CE (SAT)
I
C
= -3 A,I
B
= -0.3 A
V
BE
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.5 A
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.5 A
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1 MHz的
h
FE
分类
的hFE
O
60 120
Y
100 200
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1