欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SB852 参数 Datasheet PDF下载

2SB852图片预览
型号: 2SB852
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 达林顿连接高直流电流增益。之间基极和发射极。 [Darlington connection for high DC current gain. between base and emitter.]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 143 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
 浏览型号2SB852的Datasheet PDF文件第2页  
产品speci fi cation
2SB852
特点
达林顿连接高直流电流增益。
内置基极和发射极之间4KΩ的电阻。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
C
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
B
0.97
1 BASE
2发射器
R
BE
4kΩ
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
E
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率(
)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-40
-32
-6
-300
200
150
-55到150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
测试条件
-40
-32
-6
-1
-1
5000
-1.5
200
3
V
兆赫
PF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
V
( BR ) CBO
IC = -100μA ,我
E
=0
V
( BR ) CEO
IC = -1毫安,我
B
=0
V
( BR ) EBO
I
E
= -100 μA,
I
C
=0
Ic
BO
I
EBO
h
FE
V
CB
= -24 V,I
E
=0
V
CE
= -4.5V ,我
C
=0
V
CE
= -5V ,我
C
= -100mA
V
CE ( SAT )
I
C
= -200毫安,我
B
= -0.4mA
f
T
C
ob
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA , F = 100MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
记号
记号
U
*
0-0.1
3收藏家
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2