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型号: 2SB805
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内容描述: 高集电极到发射极电压VCEO -100V 。 [High collector to emitter voltage: VCEO -100V.]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 77 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB805
特点
高集电极到发射极电压: V
首席执行官
-100V.
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲) * 1
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1 。 PW
为10ms ,占空比50 %
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C( PU )
P
c
T
j
T
英镑
等级
-100
-100
-5
-0.7
-1.2
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
基极 - 发射极电压*
输出电容
跃迁频率
* PW
350ìs ,占空比2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -100V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -5.0mA
V
CE ( SAT )
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
BE
C
ob
f
T
V
CE
= -10V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
V
CE
= -10V ,我
E
= 10毫安
-550
90
45
200
200
-0.4
-0.9
-620
14
75
-0.6
-1.5
-650
V
V
mV
pF
兆赫
典型值
最大
-100
-100
400
单位
nA
nA
h
FE
分类
记号
的hFE
90
KM
180
KL
135
270
KK
200
400
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1