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型号: 2SB649A
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内容描述: 集电极 - 发射极电压: -160V集电极电流: -1.5A [Collector-Emitter Voltage :-160V Collector Current :-1.5A]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 106 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
DIP
TYPE
SMD型
DIP
TYPE
SMDType
晶体管
IC
晶体管
IC
晶体管
产品speci fi cation
2SB649A
特点
集电极 - 发射极电压: -160V
集电极电流: -1.5A
1辐射源
2个集热器
3 BASE
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-180
-160
-5
-1.5
1
150
-55to 150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,R
BE
=
I
E
= -1mA ,我
C
=0
V
CB
=-160V
I
E
=0
Testconditons
-180
-160
-5
-10
-1
-1.5
60
30
27
140
pF
兆赫
200
典型值
最大
单位
V
V
V
A
V
V
V
CE ( SAT )
I
C
=-600mA,I
B
=-50mA
V
BE
h
FE
C
ob
f
T
V
CE
= 5V ,我
C
=150mA
V
CE
=-5V,I
C
=-150mA
V
CE
=-5V,I
C
=-500mA
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.15A
h
FE
分类
h
FE
B
60至120
C
100至200
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1