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    2SB1475 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1475图片预览
    型号： 2SB1475
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超微型封装。高直流电流IC （ DC ） = 500毫安最大。低VCE （SAT） ： VCE （SAT） = - 60mV的在-100mA [Super miniature package. High DC current IC(DC)=500mA max. Low VCE(sat): VCE(sat)=-60mV at -100mA]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 71 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    产品speci fi cation
    2SB1475
    特点
    超微型封装。
    高直流电流I
    C（ DC ）
    = 500毫安最大。
    低V
    CE （ SAT ）
    : V
    CE （ SAT ）
    = -60mV时-100mA
    1辐射源
    2基地
    3收藏家
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    总功耗
    结温
    存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    T
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    -25
    -16
    -6
    -500
    150
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益*
    集电极饱和电压*
    基本饱和电压*
    基极 - 发射极电压*
    增益带宽积
    输出电容
    *脉冲： PW
    350 ，占空比
    2%
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    Testconditons
    V
    CB
    = -16 V，I
    E
    = 0
    V
    EB
    = -6.0 V，I
    C
    = 0
    V
    CE
    = -1.0 V，I
    C
    = -100毫安
    I
    C
    = -100毫安，我
    B
    = -10毫安
    I
    C
    = -500毫安，我
    B
    = -20毫安
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    = -0.1A
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = -1.0 V，I
    C
    = -10毫安
    V
    CE
    = -3.0 V，I
    E
    = 100毫安
    V
    CB
    = -10 V，I
    E
    = 0中，f = 1.0兆赫
    50
    15
    110
    200
    -60
    -250
    -0.95
    -0.66
    民
    典型值
    最大
    -100
    -100
    400
    -120
    -400
    -1.2
    -0.7
    mV
    mV
    V
    V
    兆赫
    pF
    单位
    nA
    nA
    h
    FE
    分类
    记号
    h
    FE
    B42
    110 240
    B43
    190 320
    B44
    270 400
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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