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型号: 2SB1443
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内容描述: 低饱和电压。 VCE (SAT) = -0.35V (最大)的IC / IB = -1A / -50mA 。 [Low saturation voltage. VCE (sat) = -0.35V (Max.) at IC / IB = -1A / -50mA.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 75 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1443
特点
低饱和电压。 V
CE (SAT)
= -0.35V (最大) ,在我
C
/ I
B
= -1A / -50mA 。
优良的直流电流增益特性。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
* 1单脉冲Pw = 10ms的。
* 2印刷电路板1.7毫米厚,收藏家电镀1厘米
2
或更大。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
*1
P
C
*2
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-6
-2
-5
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿voltae
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输出电容
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
BO
I
EBO
h
FE
I
C
= -50ìA
I
C
= -1mA
I
E
= -50ìA
V
CB
= -50V
V
EB
= -5V
V
CE
= -2V ,我
C
= -0.5A
120
Testconditons
-50
-50
-6
-0.1
-0.1
270
-0.15 -0.35
36
200
V
pF
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
= -1A / -50mA
C
ob
f
T
V
CB
= -10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
V
CE
= -2V ,我
E
= 0.5A , F = 100MHz的
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
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