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型号: 2SB1397
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内容描述: 低饱和电压。包含集电极和发射极之间的二极管。 [Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter.]
分类和应用: 晶体二极管晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 76 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1397
特点
低饱和电压。
包含集电极和发射极之间的二极管。
包含基极和发射极之间的偏压电阻。
大电流的能力。
小尺寸封装使其易于提供高密度,
小尺寸的混合集成电路。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
*安装在陶瓷板上( 250毫米
2
X0.8mm)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
-25
-20
-6
-2
-4
1.3
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
二极管的正向电压
基极 - 发射极电阻
符号
I
CBO
h
FE
f
T
C
ob
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
( BR ) CBO
V
(BR)CEO1
V
(BR)CEO2
V
F
R
BE
Testconditons
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= -0.5A
V
CE
= -2V ,我
C
= -2A
V
CE
= -2V ,我
C
= -0.5A
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
I
C
= -1A ,我
B
= -50mA
I
C
= -1A ,我
B
= -50mA
I
C
= -10ìA ,我
E
= 0
I
C
= -10ìA ,R
BE
=
I
C
= -10mA ,R
BE
=
I
F
=0.5A
1.6
-25
-25
-20
-1.5
V
70
50
300
40
-0.25
-0.5
-1.5
兆赫
pF
V
V
V
V
典型值
最大
-1
单位
nA
记号
记号
BP
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1