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2SB1302 参数 Datasheet PDF下载

2SB1302图片预览
型号: 2SB1302
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内容描述: 采用FBET的, MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 [Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage.]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 112 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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产品speci fi cation
2SB1302
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
V
EB
= -4V ,我
E
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= -500mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -200mA
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
100
320
60
-250
-1
-25
-20
-5
40
ns
-500
-1.3
典型值
最大
-500
-500
400
兆赫
pF
V
V
V
V
单位
nA
nA
V
CE ( SAT )
I
C
= -3A ,我
B
= -60mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -3A ,我
B
= -60mA
V
( BR ) CBO
I
C
= -10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -1mA ,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= -10ìA ,我
C
= 0
贮存时间
TSTG
200
ns
下降时间
tf
10
ns
h
FE
分类
记号
的hFE
100
R
200
140
BJ
S
280
200
T
400
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2