2SB1197K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1197K
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内容描述：	低VCE （ sat）的.VCE （星期六） -0.5V IC / IB = -0.5A / -50mA .PNP硅晶体管 [Low VCE(sat).VCE(sat) -0.5V IC / IB= -0.5A / -50mA .PNP silicon transistor]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	1 页 / 62 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SB1197K

特点

低V

CE （ SAT ）

= -0.8A.

+0.1

2.4

-0.1

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

PNP硅晶体管

+0.1

1.3

-0.1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

-0.5V

/ I

= -0.5A / -50mA

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

Jumction温度

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-40

-32

-5

-0.8

0.2

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿voltae

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

输出电容

跃迁频率

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

= -50

= -1mA

= -50

Testconditons

民

-40

-32

-5

-0.5

120

200

390

兆赫

典型值

最大

单位

= -20V

= -4V

CE （ SAT ）

= -0.5A ，我

= -50mA

= -3V ，我

= -100mA

= -10V ，我

= 0A ， F = 1MHz的

= -5V ，我

= 50mA时F = 100MHz的

分类

记号

秩

的hFE

120

AHQ

270

180

AHR

390

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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