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型号: 2SB1181
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内容描述: 海特击穿电压和高电流。低VCE (SAT) 。 [Hight breakdown voltage and high current. Low VCE(sat).]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 62 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1181
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
海特击穿电压和高电流。
低V
CE ( SAT )
.
+0.2
9.70
-0.2
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
集电极耗散功率(T
c
=25 )
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C
Tj
T
英镑
等级
-80
-80
-5
-1
-2
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
=-50ìA
I
C
=-1mA
I
E
=-50ìA
V
CB
=-60V
V
EB
=-4V
Testconditons
-80
-80
-5
-1
-1
-0.4
82
100
25
390
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
CE ( SAT )
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
h
FE
f
T
C
ob
V
CE
= -3V ,我
C
= -0.1A
V
CE
= -10V ,我
E
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
=0A,f=1MHz
h
FE
分类
的hFE
P
82 180
Q
120 270
R
180 390
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1