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    2SB1123 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1123图片预览
    型号： 2SB1123
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 [Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 111 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号2SB1123的Datasheet PDF文件第2页  
    产品speci fi cation
    2SB1123
    特点
    采用FBET的， MBIT过程。
    低集电极 - 发射极饱和电压。
    大电流容量，广ASO 。
    快速开关速度。
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散
    安装在陶瓷板（ 250mm250.8mm ）
    Jumction温度
    储存温度
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    等级
    -60
    -50
    -6
    -2
    -4
    0.5
    1.3
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    W
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 2

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