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型号: 2SB1026
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内容描述: 低频功率放大器集电极到基极电压VCBO -120 V [Low frequency power amplifier Collector to base voltage VCBO -120 V]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 1 页 / 75 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1026
特点
低频功率放大器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1 PW
10毫秒,占空比
20%
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C(峰值)
*1
P
C
*2
T
j
T
英镑
等级
-120
-100
-5
-1
-2
1
150
-55到150
单位
V
V
V
A
A
W
* 2值的氧化铝陶瓷板( 12.5X 20X 0.7mm)的
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
fT
COB
Testconditons
I
C
= -10 IA ,我
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= -10 IA ,我
C
= 0
V
CB
= -100 V,I
E
= 0
V
CE
= -5 V,I
C
= -150mA ,
V
CE
= -5 V,I
C
= -500mA
I
C
= -0.5 A,I
B
= -50毫安,
V
CE
= -5 V,I
C
= -150mA ,
V
CE
= -5 V,I
C
= -150毫安
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
140
20
60
30
-1.0
-0.9
V
V
兆赫
pF
-120
-100
-5
-10
200
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
h
FE
分类
记号
的hFE
DL
60至120
DM
100至200
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1