2SA812 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA812
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内容描述：	高直流电流增益： hFE参数= 200 TYP 。（ VCE = -6.0 V， IC = -1.0 mA）的高电压： VCEO = -50 V [High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = -6.0 V, IC = -1.0 mA) High Voltage: VCEO = -50 V]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 175 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SA812

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

高电压： V

首席执行官

= -50 V

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

高直流电流增益：H

= 200 TYP 。（V

= -6.0 V，I

= -1.0毫安）

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

功耗

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-60

-50

-5.0

-100

200

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益*

集电极饱和电压

基地发射极电压

输出电容

跃迁频率

*脉冲： PW

350

S，占空比

符号

CBO

EBO

Testconditons

= -60 V，I

= 0 A

= -5.0 V，I

= 0 A

= -6.0 V，I

= -1.0毫安

200

-0.18

-0.58

-0.62

4.5

180

民

典型值

最大

-0.1

600

-0.3

-0.68

兆赫

单位

CE （ SAT ）

= -100毫安，我

= -10毫安

= 6.0 V，I

= -1.0毫安

= -10 V，I

= 0 ， F = 1.0 MHz的

= -6.0 V，I

= 10毫安

分类

记号

180

135

270

200

400

300

600

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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