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型号: 2SA1979UF
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内容描述: 合适的,因为它的低饱和电压的低电压操作。 [Suitable for low-Voltage operation because of its low saturation voltage.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 78 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
产品speci fi cation
2SA1979UF
特点
大的集电极电流。
合适的,因为它的低饱和电压的低电压操作。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-40
-32
-5
-500
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
70
-40
-32
-5
-0.1
-0.1
240
-0.25
200
7.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
f
T
C
ob
V
CE
= -6V ,我
C
=-20mA
V
CB
= -6V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
O
70 140
A
Y
120 240
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1