2SA1946 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1946
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内容描述：	低集电极饱和电压优异的直流正向电流增益线性度 [Low collector saturation voltage Excellent linearity of DC forward current gain]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 85 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

产品speci fi cation

2SA1946

特点

低集电极饱和电压

CE （ SAT ）

= -0.25V （典型值）

高F

: f

= 180MHz的典型值

直流正向电流增益出色的线性度

高集电极电流I CM = -1A

小型封装安装

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散（ TA = 25 ）

Jumction温度

储存温度

符号

CBO

EBO

首席执行官

英镑

等级

-25

-4

-20

-1

-700

500

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

Colllector - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

增益带宽积

符号

Testconditons

民

-25

-4

-20

-1

150

-0.25

180

800

-0.5

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

（ BR ） CBO

=-10ìA,I

（ BR ） EBO

=-10ìA,I

（ BR ） CEO

=-100ìA,R

CBO

EBO

=-25V,I

=-2V,I

=-4V,I

=-100mA

CE （ SAT ）

=-500mA,I

=-25mA

=-6V,I

=-10mA

分类

记号

的hFE

AAE

150 300

AAF

250 500

AAG

400 800

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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