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2SA1839 参数 Datasheet PDF下载

2SA1839图片预览
型号: 2SA1839
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内容描述: 非常小的尺寸以制成包允许2SA1839施加台小型且薄型 [Very small-sized package permitting 2SA1839-applied sets to be made small and slim]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 68 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
IC
产品speci fi cation
2SA1839
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
非常小的尺寸,施加2SA1839封装允许
设置要做出小巧玲珑
小的输出电容。
低集电极 - 发射极饱和电压
低导通电阻
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-15
-10
-5
-100
-200
-20
250
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
公共基础输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
抗性
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
f
T
COB
Testconditons
V
CB
= -12V ,我
E
= 0
V
EB
= -4V ,我
C
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= -5mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
200
600
0.9
-0.04 -0.15
-0.82
-15
-10
-15
3.0
-1.1
典型值
最大
-0.1
-0.1
600
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
Ù
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
V
( BR ) CBO
I
C
= -10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -1mA ,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= -10ìA ,我
C
= 0
罗恩
I
B
=-3mA,f=1MHz
记号
记号
LS
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1