2SA1812 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1812
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内容描述：	高击穿电压。低饱和度voltage.Collector - 基极电压VCBO -400 V [High breakdown voltage. Low saturation voltage.Collector-base voltage VCBO -400 V]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 179 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SA1812

■

电气特性TA = 25 ℃

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

开启时间

贮存时间

下降时间

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

英镑

=-100mA,R

=1.5KΩ,I

=-I

10mA,V

=-150V

测试Conditons

=-50μA,I

=-1mA,I

=-50μA,I

=-400V

=-6V

= -5V ，我

=-50mA

= -100mA ，我

=-10mA

= -100mA ，我

=-10mA

= -5V ，我

= -50mA ， F = 5MHz时

= -10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

0.6

2.7

民

-400

-7

-10

270

-1

-1.2

兆赫

μs

典型值

最大

单位

μA

■

分类

记号

秩

范围

AJP

82½180

AJQ

120½270

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2

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