2SA1455K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1455K
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内容描述：	高击穿电压VCEO = -120V低噪音设计： NF = 0.2分贝（典型值） [High breakdown voltage:VCEO=-120V Low noise design:NF=0.2dB(Typ.)]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小：	1 页 / 67 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SA1455K

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

高击穿电压： V

首席执行官

=-120V

低噪音设计： NF = 0.2分贝（典型值）

+0.1

1.3

-0.1

特点

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-120

-5

-50

200

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

输出电容

跃迁频率

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

=-50ìA

=-1mA

=-50ìA

=-100V

=-4V

= -6V ，我

=-2mA

180

Testconditons

民

-120

-5

-0.5

820

-0.5

140

3.2

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

= -10mA ，我

=-1mA

= -12V ，我

= 2毫安， F = 30MHz的

= -12V ，我

= 0A ， F = 1MHz的

分类

记号

秩

的hFE

180 390

270 560

390 820

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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