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型号: 2SA1434
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内容描述: 采用FBET过程。高直流电流增益(HFE = 500〜 1200) 。 [Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=500 to 1200).]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 67 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SA1434
特点
采用FBET过程。
高直流电流增益(H
FE
= 500〜 1200) 。
+0.1
2.4
-0.1
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
低集电极 - 发射极饱和电压
(V
CE
(饱和) 0.5V ) 。
高V
EBO
(V
EBO
15V).
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
cp
P
C
T
j
T
英镑
等级
-60
-50
-15
-100
-200
200
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
EB
= -10V ,我
C
=0
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -10V , F = 1.0MHz的
500
800
100
4.8
-0.2
-0.8
-60
-50
-15
-0.5
-1.1
典型值
最大
-0.1
-0.1
1200
兆赫
pF
V
V
V
V
V
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -50mA ,我
B
= -1mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -10ìA ,我
B
= -1mA
V
( BR ) CBO
I
C
= -10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -1mA ,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= -10ìA ,我
C
= 0
记号
记号
FL
0-0.1
1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1