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2SA1417 参数 Datasheet PDF下载

2SA1417图片预览
型号: 2SA1417
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内容描述: 采用FBET的, MBIT流程击穿电压高,电流容量大 [Adoption of FBET, MBIT Processes High Breakdown Voltage and Large Current Capacity]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 565 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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SMD型
产品speci fi cation
2SA1417
特点
采用FBET的, MBIT流程
高击穿电压和电流容量大
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在陶瓷板上( 250毫米
2
X 0.8mm)的
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
-120
-100
-6
-2
-3
500
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= -100V ,我
E
= 0
V
EB
= -4V ,我
C
= 0
-120
-100
-6
100
-0.22
-0.85
120
25
80
见测试电路。
750
40
ns
400
-0.6
-1.2
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
-100
-100
单位
nA
nA
V
V
V
V
( BR ) CBO
I
C
= -10uA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -1mA ,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= -10uA ,我
C
= 0
h
FE
V
CE
= -5V ,我
C
= -100mA
V
CE ( SAT )
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -1A ,我
B
= -100mA
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= -10V ,我
C
= -100mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
1
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
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