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2SA1411 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA1411
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内容描述: 非常高的DC电流增益:的hFE = 500〜 1600高VEBO电压: VEBO = -10V [Very high DC current gain:hFE=500 to 1600. High VEBO Voltage:VEBO=-10V]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 60 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
SMD型
晶体管
晶体管
IC
产品speci fi cation
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
高V
EBO
电压: V
EBO
=-10V
+0.1
1.3
-0.1
非常高的DC电流增益:H
FE
= 500〜 1600 。
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
在25
环境温度
T
j
T
英镑
150
-55到+150
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
等级
-25
-25
-10
-150
200
单位
V
V
V
mA
mW
结温
储存温度
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
基极 - 发射极电压*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
增益带宽积
输出电容
开启时间
贮存时间
打开-O FF时间
* PW
350ìs ,占空比2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
Testconditons
V
CB
= -25 V,I
E
= 0
V
EB
= -7 V,I
C
= 0
V
CE
= -5 V,I
C
= -1毫安
V
CE
= -5 V,I
C
= -1毫安
500
1000
-580
-0.15
-0.8
200
4.6
0.12
0.58
0.75
-0.3
-1.2
典型值
最大
-100
-100
1600
mV
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
单位
nA
nA
V
CE ( SAT )
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
关闭
V
CE
= -5V ,我
E
= 10毫安
V
CB
= -5V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
V
CC
= -10V , V
BE (OFF)的
= 2.7V ,
I
C
= -50mA ,
I
B1
= -I
B2
= -1mA
h
FE
分类
记号
的hFE
M15
500
1000
M16
800
1600
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1